时间：2025/5/30 12:03:04
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ST15VFN162 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
这款MOSFET的设计旨在提供高效的功率管理解决方案，并在性能和可靠性方面表现出色。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻：0.17Ω
栅极电荷：3nC
开关时间：ton=15ns, toff=15ns
工作温度范围：-40℃至150℃
ST15VFN162 的主要特性包括低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率；高开关速度使其非常适合高频应用；内置的ESD保护提高了器件的鲁棒性；其紧凑的SO-8封装节省了PCB空间；此外，该器件还具备良好的热稳定性和电气稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
具体来说，ST15VFN162 的低导通电阻和优化的栅极驱动特性，使得它在负载切换和功率传输过程中表现优异。同时，其高耐压能力和快速开关速度也使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
ST15VFN162 广泛应用于多种领域，包括但不限于电源管理、直流电机驱动、LED照明驱动电路、负载开关、电池管理以及各类便携式电子设备中的功率控制。
在电源管理方面，它可以用作同步整流器或DC-DC转换器中的开关元件。对于电机驱动应用，它可以实现精确的速度和方向控制。此外，其在LED照明系统中可作为恒流控制器的一部分，确保灯珠亮度的一致性和稳定性。
STP16NF06L
IRFZ44N
FDP16N10
