时间：2025/9/14 10:55:48
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BUK9608-55A,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效功率转换应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等高要求的电子系统。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计环境。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（Tc=25°C）
功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ @ VGS=10V
封装类型：TO-220
安装类型：通孔
极性：N沟道
BUK9608-55A,118 的最大导通电阻仅为5.5mΩ，这使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其低RDS(on)特性得益于先进的沟槽式MOSFET技术，同时优化了芯片结构以减少电阻。
该MOSFET支持高达120A的连续漏极电流，适用于需要高功率输出的电源系统。其高电流能力结合强大的热管理性能，使得该器件能够在高负载条件下稳定工作。
此外，该器件具有较高的栅极电压容限（±20V），允许使用较高的驱动电压以确保完全导通，同时具备良好的抗过压能力。这对于提高开关性能和防止栅极击穿具有重要意义。
TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作时能够有效散热。该封装形式广泛应用于工业级功率电子设备中，具有良好的机械强度和电气绝缘性能。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于各种严苛的工业和汽车环境，具备良好的温度稳定性和可靠性。
BUK9608-55A,118 广泛应用于需要高效功率控制的系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电机驱动器和电源管理系统。此外，它也适用于服务器电源、电信设备和工业自动化控制系统等高功率应用场景。
IPB015N06N G | FDP120N55NSD | IRF1405 | BSC090N03MS G
