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H9CCNNNCLTCLAR-NUM 发布时间 时间:2025/9/2 0:50:25 查看 阅读:5

H9CCNNNCLTCLAR-NUM 是由SK Hynix生产的一款高性能LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片。这款内存芯片专为移动设备和嵌入式系统设计,提供高带宽和低功耗特性,适用于智能手机、平板电脑和便携式电子产品。H9CCNNNCLTCLAR-NUM 的封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有较高的稳定性和可靠性,适合在复杂环境下工作。

参数

容量:8GB(64Gb)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  封装:BGA
  数据速率:3200 Mbps
  工作电压:1.1V
  组织结构:x64
  时钟频率:1600MHz
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H9CCNNNCLTCLAR-NUM 具备高性能和低功耗的特性,使其非常适合用于现代移动设备。该芯片支持高数据传输速率,能够满足高分辨率视频、复杂图形处理和大型应用程序的需求。其低电压设计(1.1V)有助于降低功耗,延长设备电池寿命。此外,该内存芯片支持多种刷新模式和低功耗自刷新模式,进一步优化了能耗管理。
  H9CCNNNCLTCLAR-NUM 采用先进的DRAM工艺制造,具备良好的热稳定性和抗干扰能力,能够在高温或复杂电磁环境中稳定运行。其BGA封装形式不仅提供了良好的电气性能,还增强了散热能力,提高了设备的整体稳定性。此外,该芯片还支持多种错误检测和纠正功能,以确保数据完整性,提高系统可靠性。

应用

H9CCNNNCLTCLAR-NUM 主要用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式计算设备、智能穿戴设备和车载信息娱乐系统。它也适用于需要高性能内存的便携式游戏设备和增强现实(AR)/虚拟现实(VR)设备。

替代型号

H9HKNNNCRKACUR-NUM
  H9HPNNNCKMMDBR-NUM

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