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IRL2505PBF 发布时间 时间:2025/5/23 9:51:00 查看 阅读:12

IRL2505PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,由英飞凌(Infineon)制造。该器件采用SO-8封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其设计旨在提供高效的功率转换,并具备出色的热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:69A
  导通电阻:1.5mΩ
  总栅极电荷:47nC
  开关时间:典型值开启时间为10ns,关断时间为15ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRL2505PBF是一种高性能的功率MOSFET,具有非常低的导通电阻,这使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。
  其快速的开关时间和较低的栅极电荷有助于降低开关损耗,从而实现高效的操作。
  该器件的高电流承载能力使其适用于大功率场合,同时SO-8封装形式提供了良好的散热性能。
  此外,其较宽的工作温度范围允许它在极端环境下稳定运行,因此广泛应用于工业及汽车电子领域。

应用

IRL2505PBF适用于多种电力电子应用,包括但不限于开关模式电源(SMPS)中的功率转换、DC-DC转换器、同步整流电路、电池保护电路、电机驱动电路以及负载开关等。由于其低导通电阻和高电流处理能力,在需要高效率和高可靠性的场景下表现出色。

替代型号

IRL2504PBF
  IRL2604PBF
  IRL2505TRPBF

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IRL2505PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C104A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 54A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL2505PBF