IXFP72N20X3是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高电流和高电压的应用场景。该器件采用TO-247封装,具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):200V
最大漏极电流(ID):72A
导通电阻(RDS(on)):0.032Ω
栅极电荷(Qg):130nC
最大工作温度:150°C
封装类型:TO-247
IXFP72N20X3具有出色的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下稳定运行。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了功率损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET采用了先进的平面技术,确保了器件的高可靠性和长寿命。
该器件的栅极电荷较低,使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗。此外,IXFP72N20X3的封装设计优化了热性能,确保在高功率运行时仍能保持较低的工作温度,从而提高了整体系统的稳定性。
为了增强抗过载能力,IXFP72N20X3还具备较高的雪崩能量耐受能力,适用于可能出现高能脉冲的应用场景。这种特性使其在工业电机驱动、电源管理和逆变器等应用中具有广泛的优势。
IXFP72N20X3常用于高功率电源转换设备,如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和不间断电源(UPS)。此外,它也适用于电机控制、电焊设备、感应加热系统以及工业自动化控制系统中的高电流开关应用。
由于其出色的性能和可靠性,IXFP72N20X3也广泛应用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中。其高效的功率转换能力和良好的热管理特性使其成为高要求工业应用的理想选择。
IXFH72N20P, IRFP460LC, STP72NM20