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IXFP72N20X3 发布时间 时间:2025/8/5 23:29:19 查看 阅读:4

IXFP72N20X3是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高电流和高电压的应用场景。该器件采用TO-247封装,具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):200V
  最大漏极电流(ID):72A
  导通电阻(RDS(on)):0.032Ω
  栅极电荷(Qg):130nC
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFP72N20X3具有出色的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下稳定运行。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了功率损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET采用了先进的平面技术,确保了器件的高可靠性和长寿命。
  该器件的栅极电荷较低,使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗。此外,IXFP72N20X3的封装设计优化了热性能,确保在高功率运行时仍能保持较低的工作温度,从而提高了整体系统的稳定性。
  为了增强抗过载能力,IXFP72N20X3还具备较高的雪崩能量耐受能力,适用于可能出现高能脉冲的应用场景。这种特性使其在工业电机驱动、电源管理和逆变器等应用中具有广泛的优势。

应用

IXFP72N20X3常用于高功率电源转换设备,如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和不间断电源(UPS)。此外,它也适用于电机控制、电焊设备、感应加热系统以及工业自动化控制系统中的高电流开关应用。
  由于其出色的性能和可靠性,IXFP72N20X3也广泛应用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中。其高效的功率转换能力和良好的热管理特性使其成为高要求工业应用的理想选择。

替代型号

IXFH72N20P, IRFP460LC, STP72NM20

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IXFP72N20X3参数

  • 现有数量819现货
  • 价格1 : ¥68.93000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)72A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 36A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)55 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3780 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)320W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3