时间：2025/9/2 2:38:15
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H26M62002GMR 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的存储器芯片，属于SRAM（静态随机存取存储器）类别。该芯片具有高速读写性能，适用于需要快速数据访问的场景，例如网络设备、工业控制系统和嵌入式系统等。H26M62002GMR采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高可靠性和稳定性等特点。
容量：256K x 8位
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
引脚数：52
工作温度范围：-40°C至+85°C
读写模式：异步SRAM
数据保持电压：1.0V（最小）
H26M62002GMR 是一款高性能异步SRAM芯片，具备低功耗和高速访问能力。其核心特性之一是异步接口，使得该芯片可以在没有时钟信号同步的情况下进行数据读写操作，从而简化了系统设计并提高了灵活性。此外，该芯片采用了先进的CMOS工艺，降低了静态电流和动态功耗，适合在功耗敏感的应用中使用。H26M62002GMR 还具有宽电压范围（2.3V至3.6V），允许在不同电源条件下稳定运行，增强了其在多种应用场景中的兼容性。
该芯片的访问时间仅为55纳秒，意味着其数据读取速度非常快，适合用于高速缓存、实时控制系统和嵌入式处理器中。同时，其TSOP封装设计有助于减少PCB空间占用，提高集成度。H26M62002GMR 还具备良好的温度适应能力，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境。此外，该芯片在断电情况下仍能通过数据保持电压（最低1.0V）维持数据完整性，为关键数据存储提供保障。
H26M62002GMR 主要应用于需要高速存储和低功耗特性的系统中。其常见的应用包括网络设备中的数据缓存、工业控制系统中的实时数据存储、嵌入式处理器的程序存储器以及通信设备中的临时数据缓冲区。由于其异步接口和宽电压范围的特性，该芯片也适用于便携式设备、医疗仪器和自动化设备等对功耗和可靠性有较高要求的场景。此外，H26M62002GMR 的高稳定性和温度适应性使其在恶劣环境下的工业控制系统中表现出色。
CY62148EVLL-45ZSXI, IS62WV2568GBLL-55D
