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IRLL3303TR 发布时间 时间:2025/6/12 16:06:08 查看 阅读:5

IRLL3303TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式,广泛应用于需要低导通电阻和快速开关特性的电路中。其主要特点包括较低的栅极驱动电压、较小的导通电阻以及较高的工作电流能力。这些特性使得IRLL3303TR在各类功率转换应用中表现出色,例如电机驱动、DC-DC转换器、负载开关以及电池保护等。

参数

型号:IRLL3303TR
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.8A
  导通电阻(Rds(on)):70mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):9nC
  总功耗(Ptot):1.3W
  工作温度范围(Tj):-55℃ to +150℃

特性

IRLL3303TR具有优异的性能表现。
  1. 低导通电阻:在Vgs为10V时,Rds(on)仅为70mΩ,这可以显著降低功率损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力:栅极电荷Qg仅为9nC,因此能够实现快速开关动作,减少开关损耗。
  3. 较低的栅极驱动电压:支持低至4.5V的逻辑电平驱动,非常适合与现代微控制器或数字逻辑电路直接连接。
  4. 高可靠性:能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,并具备良好的热稳定性。
  5. 小巧的封装:TO-252封装既节省了PCB空间又便于散热设计。

应用

IRLL3303TR适用于多种功率电子应用领域:
  1. DC-DC转换器:作为主开关或同步整流元件使用。
  2. 电机驱动:用于小型直流电机的控制与驱动。
  3. 负载开关:提供高效的负载切换功能。
  4. 电池保护:防止过充过放及短路情况发生。
  5. 开关电源(SMPS):构建高性能的电源解决方案。
  6. 便携式设备:如移动电话、笔记本电脑和平板电脑中的电源管理部分。

替代型号

IRLML6402, FDN340P, BSS138

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IRLL3303TR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 4.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds840pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)