STW35N60DM2是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh DM2技术,具有较低的导通电阻和高耐压能力,适用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。STW35N60DM2封装形式为TO-247,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):最大值0.115Ω(在Vgs=10V时)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V至4.5V
功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
STW35N60DM2具有多项优异的电气和物理特性。首先,其采用的MDmesh DM2技术显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了能效。其次,该器件具备高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压情况下保持稳定运行,提高了系统的可靠性。
此外,STW35N60DM2的封装设计优化了散热性能,适用于高功率密度应用。其TO-247封装具有良好的热管理和机械稳定性,能够有效传导热量,延长器件使用寿命。栅极驱动特性方面,该MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷,使得开关速度更快,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
STW35N60DM2广泛应用于各种高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动和逆变器系统。在工业自动化领域,该MOSFET可用于控制大功率负载,如电动机和加热元件。
STW40N60DM2, STW34N60DM2