您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STW35N60DM2

STW35N60DM2 发布时间 时间:2025/7/23 0:12:50 查看 阅读:8

STW35N60DM2是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh DM2技术,具有较低的导通电阻和高耐压能力,适用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。STW35N60DM2封装形式为TO-247,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):最大值0.115Ω(在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V至4.5V
  功耗(Ptot):160W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

STW35N60DM2具有多项优异的电气和物理特性。首先,其采用的MDmesh DM2技术显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了能效。其次,该器件具备高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压情况下保持稳定运行,提高了系统的可靠性。
  此外,STW35N60DM2的封装设计优化了散热性能,适用于高功率密度应用。其TO-247封装具有良好的热管理和机械稳定性,能够有效传导热量,延长器件使用寿命。栅极驱动特性方面,该MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷,使得开关速度更快,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。

应用

STW35N60DM2广泛应用于各种高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动和逆变器系统。在工业自动化领域,该MOSFET可用于控制大功率负载,如电动机和加热元件。

替代型号

STW40N60DM2, STW34N60DM2

STW35N60DM2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STW35N60DM2资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STW35N60DM2产品

STW35N60DM2参数

  • 现有数量35现货
  • 价格1 : ¥53.66000管件
  • 系列MDmesh? DM2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)54 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2400 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)210W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3