时间：2025/7/23 0:12:50
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STW35N60DM2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh DM2技术，具有较低的导通电阻和高耐压能力，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。STW35N60DM2封装形式为TO-247，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：35A
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.115Ω（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V至4.5V
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
STW35N60DM2具有多项优异的电气和物理特性。首先，其采用的MDmesh DM2技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其次，该器件具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。
此外，STW35N60DM2的封装设计优化了散热性能，适用于高功率密度应用。其TO-247封装具有良好的热管理和机械稳定性，能够有效传导热量，延长器件使用寿命。栅极驱动特性方面，该MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷，使得开关速度更快，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
STW35N60DM2广泛应用于各种高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动和逆变器系统。在工业自动化领域，该MOSFET可用于控制大功率负载，如电动机和加热元件。
STW40N60DM2, STW34N60DM2
