NQ5000V 时间：2025/8/25 6:16:52 阅读：3

NQ5000V 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：1.5A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

NQ5000V MOSFET 具备多项优异特性，适用于多种功率电子系统设计。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻（RDS(on)）：最大为2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高耐压能力：漏源电压（VDS）可达500V，适合高压应用场合。
　　? 高栅极电压容限：允许±30V的栅极电压，提高了栅极驱动的灵活性和可靠性。
　　? 优良的热稳定性：采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
　　? 快速开关性能：具备较低的输入电容和输出电容，有助于提高开关速度，减少开关损耗。
　　? 宽工作温度范围：支持-55°C至+150°C的温度范围，适用于严苛环境条件。
　　这些特性使得NQ5000V在电源转换和电机控制等应用中表现出色，能够提供高效、稳定和可靠的工作性能。

应用

NQ5000V 主要应用于以下领域：
　　? 电源管理系统：如开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中作为功率开关器件。
　　? 负载开关：用于控制高电压负载的开启与关闭，如LED驱动、加热元件等。
　　? 电机控制：适用于小型电机或继电器的开关控制，提供高效的功率切换。
　　? 逆变器与变频器：在工业自动化和家电控制中用于功率调节和转换。
　　? 高压电路保护：作为高压侧开关，用于过载保护和断路器应用。
　　其高耐压、低导通电阻和良好热性能，使其成为多种中高电压功率应用的理想选择。