时间：2025/4/29 14:36:29
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26384330186 是一款高性能的射频功率晶体管，广泛应用于无线通信、雷达系统以及工业科学医疗（ISM）频段设备中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，能够在高频条件下提供高增益和高效率的表现。其设计旨在满足现代射频应用对高线性度和稳定性的需求。
型号：26384330186
类型：射频功率晶体管
封装形式：陶瓷金属封装
频率范围：30MHz 至 3GHz
最大输出功率：50W
工作电压：28V
增益：15dB
插入损耗：≤ 2.5dB
驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
结温范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度：-65℃ 至 +175℃
26384330186 拥有以下主要特性：
1. 高功率处理能力，适用于需要大功率输出的射频场景。
2. 在宽频率范围内保持稳定的性能表现。
3. 低热阻设计，能够有效提升散热效率并延长使用寿命。
4. 具备良好的线性度和较高的能量转换效率，从而降低能耗。
5. 良好的抗静电能力（ESD），确保在实际使用中的可靠性。
6. 封装坚固耐用，适合恶劣环境下的长期运行。
该芯片适用于以下领域：
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 工业、科学和医疗（ISM）频段设备的射频信号放大。
3. 测试与测量仪器中的高性能射频源。
4. 雷达系统及卫星通信设备中的发射机部分。
5. 业余无线电爱好者制作的大功率射频功放电路。
此外，它还可能用于航空航天和其他特殊领域的射频传输系统。
MOS-50W-RF, RFPA30G50, A2638-001B
