时间：2025/5/8 13:58:42
阅读：6
HMC245QS16是一款由Analog Devices公司（ADI）生产的GaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷开关（SPDT Switch），采用无引线芯片规模封装（QFN）。该器件在高频无线通信系统、测试测量设备以及雷达应用中表现出优异的性能。它能够在直流至18 GHz的频率范围内工作，并具有低插入损耗和高隔离度的特点。
频率范围：DC至18 GHz
插入损耗：0.4 dB（典型值，@10 GHz）
隔离度：25 dB（最小值，@10 GHz）
回波损耗：15 dB（最小值，@10 GHz）
输入输出功率：+30 dBm（P1dB，典型值）
控制电压：0 V或+5 V
静态电流：7 mA（最大值，@Vcc = +5 V）
电源电压：+2.7 V至+5.5 V
工作温度范围：-55°C至+125°C
HMC245QS16采用了ADI公司先进的GaAs pHEMT工艺技术，具备卓越的射频性能。
其设计确保了在宽广的频率范围内保持较低的插入损耗和较高的隔离度，从而提升了系统的整体效率。
此外，这款芯片的高线性度使其能够支持大动态范围的应用场景，例如高性能接收机和发射机。
由于其小型化的封装形式（仅2x2 mm大小），HMC245QS16非常适合对尺寸和重量有严格要求的设计项目。
同时，它支持简单的数字控制逻辑（TTL兼容），方便与各类控制系统集成。
HMC245QS16广泛适用于多种高频电子系统，包括但不限于：
无线基础设施中的收发信机模块；
航空航天和国防领域中的相控阵雷达及电子战系统；
通用测试与测量仪器，如网络分析仪和频谱分析仪；
点对点微波通信链路；
卫星通信地面站设备。
HMC244LP4E, HMC243LP4E
