时间：2025/6/12 15:31:51
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XC6401FF20MR 是一款由日本半导体制造商 ROHM 生产的高性能 N 沟道 MOSFET 芯片。该器件采用小型化的 MSOP8 封装，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等领域。其低导通电阻和快速开关性能使得 XC6401FF20MR 在效率和热管理方面表现出色。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻（典型值）：20mΩ
导通电阻（最大值）：25mΩ
栅极电荷：10nC
开关时间：ton=11ns, toff=9ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
XC6401FF20MR 具有非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，它具有快速的开关速度，有助于降低开关损耗，并且能够在高频条件下高效运行。
由于采用了先进的制造工艺，这款 MOSFET 具备出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然能够保持稳定的性能。
其小型化的 MSOP8 封装非常适合对空间要求严格的电路设计，同时提供了良好的散热性能。
XC6401FF20MR 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景中。具体包括但不限于以下领域：
- 开关电源中的同步整流
- DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管
- 电池保护和负载开关
- 电机驱动和逆变器
- 各类消费电子产品的电源管理系统
由于其低导通电阻和高效率特性，这款 MOSFET 特别适合便携式设备和需要长时间工作的应用。
IRF7443, AO3400, FDN340P
