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2N2060B 发布时间 时间:2025/9/2 23:03:05 查看 阅读:5

2N2060B是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、功率放大和开关电路中。这款晶体管采用TO-204AA(TO-3)封装,具备较高的电流和电压承受能力,适合需要高可靠性和高性能的工业级应用。作为一款经典的功率MOSFET,2N2060B在设计上优化了导通电阻和开关损耗,使其在高频率开关应用中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):10A
  漏-源极电压(VDS):100V
  栅-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.45Ω(最大)
  功耗(PD):75W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装:TO-204AA(TO-3)

特性

2N2060B具有较低的导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高整体效率。其高耐压特性使其能够承受较高的电压应力,适用于多种电源转换和控制电路。此外,该器件具备良好的热稳定性和较高的可靠性,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
  该MOSFET的封装形式为TO-204AA,散热性能良好,适用于需要高效散热的高功率应用场景。其栅极驱动电压范围较宽,兼容多种控制电路设计,简化了驱动电路的设计难度。2N2060B的开关速度快,适合用于高频开关电路,从而减小电源系统的体积并提高功率密度。
  此外,该器件具备较强的短路和过载能力,在异常工况下仍能保持一定的稳定性,提高了系统的安全性。其广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、电源开关控制等领域,是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET器件。

应用

2N2060B适用于多种功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器、工业自动化控制系统和电源保护电路。由于其良好的导通特性和高耐压能力,该器件在电源管理和功率控制领域表现出色,常用于中高功率的电子设备中。

替代型号

2N2060, IRF540N, FDP10N10, 2N2060A

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