BU102-C 时间：2025/6/22 11:54:56 阅读：3

BU102-C是一种双列直插式封装的功率MOSFET芯片，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功耗并提升效率。同时，其出色的热特性和电气特性使其成为高功率密度应用的理想选择。
　　BU102-C基于先进的半导体制造工艺，具备强大的耐用性和可靠性，在高频工作条件下仍能保持稳定性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：40nC
　　反向恢复时间：80ns
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

BU102-C采用N沟道增强型技术，拥有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗。
　　2. 高速开关能力，可适应高频电路需求。
　　3. 内置反向二极管，优化续流路径设计。
　　4. 强大的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　5. 良好的短路耐受能力，提高了系统的鲁棒性。
　　6. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型设备中。

应用

BU102-C广泛应用于各类电力电子设备中，具体包括：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 降压、升压及正弦波逆变器等DC-DC转换器。
　　3. 无刷直流电机（BLDC）控制器中的驱动级。
　　4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
　　5. 其他需要高效功率切换的应用场景。