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43E7955GE14 发布时间 时间:2025/7/29 22:32:14 查看 阅读:36

43E7955GE14 是一款由美国安森美半导体(ON Semiconductor)设计的高性能电子元器件芯片。该芯片属于射频(RF)放大器类别,广泛应用于通信系统、工业设备和测量仪器中。其主要功能是在射频信号链中提供高效、低噪声的信号放大能力,以确保信号的完整性与传输质量。

参数

类型:射频放大器
  工作频率范围:10 MHz 至 6 GHz
  增益:典型值 14 dB
  输出功率:最大 17 dBm
  噪声系数:典型值 2.5 dB
  工作电压:5 V
  封装类型:16引脚 TSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

43E7955GE14 的主要特性之一是其宽频带操作能力,适用于多种射频应用场景。该芯片的增益稳定性较高,能够在各种负载条件下保持一致的放大性能。此外,其低噪声系数有助于在接收端提升信号质量,降低干扰影响,提高整体系统灵敏度。
  该器件采用紧凑的TSSOP封装,节省空间的同时提供良好的热管理和电气性能,适用于高密度PCB设计。芯片的输入和输出端口均具备良好的阻抗匹配能力(通常为50Ω),减少了外部匹配元件的需求,从而简化了电路设计。
  在可靠性方面,43E7955GE14 设计支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于严苛环境条件下的应用。其工作电压为5V,适配大多数射频系统的电源配置,并具备较低的功耗特性。

应用

该芯片常用于无线通信设备,例如Wi-Fi接入点、无线基站和射频测试仪器。此外,43E7955GE14 也广泛应用于医疗成像设备、工业自动化系统以及广播设备中。在这些应用中,它能够作为中频(IF)或射频(RF)信号链中的增益模块,提供高保真度的信号放大,从而提高系统性能和稳定性。

替代型号

HMC414LC5B, MAX2611, LMH2100

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