时间：2025/12/28 2:00:01
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FPV201209S110PLT是一款由Fairchild（现为onsemi）推出的高性能、低功耗的MOSFET器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及高效率开关电源系统中。该器件采用先进的平面场截止技术（Planar Field-Stop Technology），能够在保持较低导通电阻的同时，实现优异的开关特性和热稳定性。FPV201209S110PLT属于N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关操作，具备良好的dv/dt抗扰能力与雪崩耐受性能，适合在工业控制、消费电子及通信设备中作为主开关或同步整流元件使用。其封装形式为PowerTrench? MLP5x6封装，具有较小的占位面积和优良的散热性能，便于在紧凑型PCB设计中布局。该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。
型号：FPV201209S110PLT
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：200V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：38A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：152A
导通电阻(RDS(on))：43mΩ @ VGS=10V, ID=19A
导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS=4.5V, ID=19A
阈值电压(Vth)：3.0V ~ 4.0V
输入电容(Ciss)：2930pF @ VDS=25V
输出电容(Coss)：560pF @ VDS=25V
反向恢复时间(trr)：47ns
最大功耗(PD)：100W @ 25°C
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：MLP5x6 (PowerTrench)
安装方式：表面贴装(SMD)
FPV201209S110PLT采用先进的PowerTrench工艺技术，这种技术通过优化沟槽结构和掺杂分布，在保证高击穿电压的同时显著降低了导通电阻RDS(on)，从而提高了整体能效。该器件的低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少驱动损耗并提升系统效率。其低反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr）大幅降低了体二极管在硬开关过程中的能量损耗，特别适用于LLC谐振转换器和有源钳位反激式拓扑等对开关性能要求较高的电路。
该MOSFET具备出色的热性能，得益于MLP5x6封装底部集成的大面积裸露焊盘，可直接连接至PCB上的散热焊盘，实现高效的热量传导。这种设计不仅提升了功率密度，还增强了器件在持续大电流负载下的可靠性。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，可在瞬态过压或短路情况下提供更高的安全裕度。
FPV201209S110PLT在制造过程中严格遵循AEC-Q101车规级可靠性标准，虽然主要面向工业和消费类市场，但其稳健的设计也适用于部分汽车电子子系统。其稳定的电气参数漂移和长期老化性能表现优异，确保在整个生命周期内维持一致的工作特性。同时，该器件支持无铅回流焊接工艺，兼容现代SMT生产线，适合自动化大规模生产。
FPV201209S110PLT广泛应用于多种高效率电源拓扑结构中，尤其适合作为隔离式和非隔离式DC-DC变换器中的主开关管或同步整流管。典型应用场景包括服务器电源、电信整流模块、工业开关电源（SMPS）、LED驱动电源以及太阳能逆变器等需要高功率密度和高能效的设备。在LLC半桥谐振转换器中，该器件凭借其低Qg和快速开关特性，有助于降低轻载和满载条件下的总损耗，提高整体转换效率。
在同步整流应用中，FPV201209S110PLT的低RDS(on)可显著减少导通损耗，提升次级侧整流效率，尤其在低压大电流输出场合如12V/5V转3.3V或1V以下的POL（Point-of-Load）转换器中优势明显。此外，该器件也可用于电机驱动电路中的H桥拓扑，作为高端或低端开关元件，提供快速响应和低功耗运行。
由于其良好的热稳定性和紧凑封装，FPV201209S110PLT也被广泛用于空间受限的嵌入式系统和便携式工业设备中。在电池管理系统（BMS）或UPS不间断电源中，该MOSFET可用于充放电控制回路，实现高效双向能量流动管理。同时，其坚固的结构设计使其能在高温、高湿或振动环境中稳定运行，满足工业自动化和户外通信基站等严苛应用需求。
FQP20N20C,FDA20N20,FDB20N20
