1、导通电阻：2.5mΩ@VGS=4.5V，4.5mΩ@VGS=2.5V，5.5mΩ@VGS=1.8V
　　2、开关电阻：4.3mΩ@VGS=4.5V，7.5mΩ@VGS=2.5V，9.2mΩ@VGS=1.8V
　　3、漏电流：0.1μA@VDS=60V，TJ=25℃
　　4、阈值电压：0.8V@VDS=VGS，ID=250μA
　　5、最大承受电压：60V
　　6、最大承受电流：6A
　　7、最大功耗：3.4W
　　8、封装形式：SOT-23

1、导通电阻低：FDN360P采用了TrenchFET?技术，具有低导通电阻，可以降低功率损耗，提高效率。
　　2、开关电阻低：FDN360P的低开关电阻可以降低开关损耗，提高开关速度。
　　3、高速开关：FDN360P的快速开关速度可以提高系统的响应速度，适用于高频、高速开关应用。
　　4、低漏电流：FDN360P的低漏电流可以降低系统的功耗，提高系统的效率。
　　5、适应温度范围广：FDN360P的工作温度范围为-55℃~150℃，适用于各种环境温度下的应用。

FDN360P是一种N沟道MOSFET，它的工作原理与常规MOSFET相似。当通电时，通过控制栅极电压可以控制源极和漏极之间的电阻，从而控制电流的大小。具体来说，当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET导通，电流流过源极和漏极之间的通道；当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET截止，电流无法流过通道。

电源管理：FDN360P可用于电源开关、电源逆变器、DC-DC转换器等场合，其低导通阻抗和低开关损耗能够提高系统的效率。
　　电机控制：FDN360P可用于电机驱动器、电机保护等场合，其高开关速度和低噪声能够提高电机控制的精度和稳定性。
　　照明控制：FDN360P可用于LED驱动器、照明开关等场合，其低导通阻抗和低开关损耗能够提高照明系统的效率和可靠性。
　　电子换向器：FDN360P可用于电子换向器、电机控制器等场合，其高开关速度和低噪声能够提高电机控制的精度和稳定性。

FDN360P采用SOT-23封装形式，尺寸为2.9mm x 1.3mm x 1.0mm，体积小、重量轻，适用于各种紧凑型应用。在布局上，需要注意以下几点：
　　1、将MOSFET与其他元件分开：由于MOSFET的导通电阻低，当电流流过时会产生较大的功率损耗，因此需要将MOSFET与其他元件分开，以减少功率损耗。
　　2、保持散热：由于MOSFET在工作时会产生热量，需要保持良好的散热，以避免过热损坏。
　　3、控制栅极电压：由于MOSFET的导通和截止是通过控制栅极电压实现的，因此需要注意栅极电压的控制，避免过高或过低的栅极电压导致MOSFET工作异常或损坏。

在使用FDN360P时，需要注意以下几点：
　　1、控制栅极电压：由于MOSFET的导通和截止是通过控制栅极电压实现的，因此需要注意栅极电压的控制，避免过高或过低的栅极电压导致MOSFET工作异常或损坏。
　　2、保持散热：由于MOSFET在工作时会产生热量，需要保持良好的散热，以避免过热损坏。
　　3、布局合理：需要将MOSFET与其他元件分开，以减少功率损耗；同时需要注意防止开关噪声和EMI干扰。
　　4、选择合适的驱动电路：为了确保MOSFET能够正常工作，需要选择合适的驱动电路，以确保MOSFET的栅极电压符合工作要求，同时避免损坏MOSFET。