时间：2025/8/2 8:30:38
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DMN4468LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用SOT26封装，适用于各种电源管理和开关应用。这款MOSFET设计用于高效能、低功耗的电子设备，提供可靠的开关性能。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.7A
导通电阻（RDS(ON)）：52mΩ（最大值，VGS = -10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
DMN4468LSS-13具有低导通电阻，可提供高效的功率传输和较低的功耗。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于多种电源管理应用。此外，该MOSFET的SOT26封装形式有助于节省PCB空间，适用于紧凑型设计。该器件还具备良好的抗静电性能和可靠性，适合工业和消费类电子设备使用。
DMN4468LSS-13广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、便携式电子产品以及各种需要高效功率开关的场合。
Si4435BDY-E3-GE3, AO4406A, FDN340P
