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IRL1404STRLPBF 发布时间 时间:2023/3/6 16:39:54 查看 阅读:301

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

   

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫欧 @ 95A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):40V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:160A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 5V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6600pF @ 25V

    功率 - 最大:3.8W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:DμPak,TO-263(2 引线 + 接片)

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:D2PAK

    其它名称:IRL1404STRLPBF-NDIRL1404STRLPBFTR


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRL1404STRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 95A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6600pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRL1404STRLPBF-NDIRL1404STRLPBFTR