CXM4006TQ 时间：2025/8/18 3:02:51 阅读：25

CXM4006TQ 是一款由 IXYS 公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器以及各种高功率转换设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：18A
　　最大导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（典型值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247

特性

CXM4006TQ 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高了系统的效率并减少了散热需求。其最大漏源电压为600V，适用于高电压应用场景。
　　此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式设计，增强了器件的导电能力和热稳定性，能够在高频率下稳定工作，适用于高频开关电源等对效率要求较高的系统。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高了整体系统的可靠性和耐用性。
　　其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路板中，适用于多种工业标准设计。

应用

CXM4006TQ 主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS系统、焊接设备、照明系统（如HID灯镇流器）等。
　　由于其高耐压能力和低导通电阻，特别适合用于功率因数校正（PFC）电路和高频电源转换器中，以提升整体系统效率和减小设备体积。
　　在工业自动化和控制系统中，该MOSFET也可用于高精度功率控制模块，满足对功率调节和能耗管理的严格要求。