型号：PDR6045-100MT
　　制造商：Power Integrations
　　系列：InnoSwitch3-CP
　　拓扑结构：反激式
　　控制模式：准谐振（QR）
　　集成MOSFET类型：高压MOSFET
　　MOSFET耐压：725V
　　最大输出功率：约60W
　　工作频率范围：典型值为30kHz至100kHz
　　启动时间：典型小于1秒
　　待机功耗：小于30mW（满足Energy Star和DoE Tier 2标准）
　　效率：高达94%以上（典型应用）
　　反馈方式：次级侧同步整流与 FluxLink? 数字通信技术
　　封装类型：InSOP-24D（带裸焊盘）
　　引脚数：24
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C（结温）
　　保护功能：OVP、OCP、OTP、LPF、LINE OVP/UVLO

PDR6045-100MT的核心特性之一是采用了Power Integrations独有的FluxLink? 技术，这是一种磁感应式数字通信链路，能够在初级侧控制器与次级侧同步整流控制器之间实现高速、可靠的双向信号传输，无需光耦即可完成精确的电压调节和动态响应控制。这种设计不仅提高了系统的长期可靠性（避免了光耦老化问题），还显著减少了外部元器件数量，简化了PCB布局并提升了整体效率。此外，该器件具备自供电启动电路，可在上电时直接从高压母线获取能量启动内部偏置电源，从而省去了额外的启动电阻或辅助绕组，进一步降低了空载损耗。
　　另一个关键特性是其高效的准谐振（QR）控制模式。PDR6045-100MT通过检测变压器退磁结束后的谷底点来触发MOSFET导通，实现了零电压开关（ZVS）操作，大幅降低了开关节点上的电压应力和开关损耗，尤其是在轻载和满载条件下都能维持较高的转换效率。同时，芯片内置的多模式控制策略可根据负载情况自动切换运行模式（如连续导通模式CCM、断续导通模式DCM和突发模式Burst Mode），以优化不同工况下的能效表现，特别是在待机状态下可将功耗降至极低水平，满足严格的环保节能标准。
　　在安全性与保护方面，PDR6045-100MT集成了全面的故障检测与保护机制。例如，通过精确监测输出电压和电流实现逐周期限流控制；利用外部NTC电阻实现温度监控以防止过热损坏；并通过线路前馈功能对输入电压波动进行补偿，提升系统的稳定性与抗干扰能力。此外，其高集成度设计将初级侧驱动、PWM控制、保护逻辑和高压开关全部集成在一个芯片内，极大减少了外围元件数量，提升了电源系统的整体可靠性与制造良率。

PDR6045-100MT主要应用于需要高效率、小体积和高可靠性的隔离式AC-DC电源系统中。典型应用场景包括智能电视、显示器、笔记本电脑适配器、游戏机电源、网络路由器和交换机等消费类电子产品中的主电源或辅助电源模块。由于其出色的待机效率和符合国际能效标准的能力，该芯片也广泛用于追求绿色节能认证的产品设计中，如满足能源之星（Energy Star）、欧盟CoC V5 Tier 2以及中国能效标识的要求。
　　在工业领域，PDR6045-100MT可用于工业控制设备、PLC模块、传感器供电单元、LED照明驱动电源以及小型电动工具充电器等场合，尤其适合空间受限但需稳定输出的嵌入式电源方案。其宽输入电压适应能力和强大的保护功能使其能够在电网不稳定或环境恶劣的条件下依然保持正常运行。
　　此外，随着智能家居和物联网设备的普及，越来越多的小功率电源需求催生了对高度集成化解决方案的需求。PDR6045-100MT凭借其无需光耦的架构、低待机功耗和高功率密度特点，成为智能音箱、安防摄像头、无线网关、智能门锁等设备的理想选择。其InSOP-24D封装支持表面贴装工艺，便于自动化批量生产，有助于降低制造成本并提高产品一致性。

INN3266C
　　INN3365C
　　PAG1014PN