时间：2025/12/28 15:02:35
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KRC106M 是一款由韩国品牌 KOREA SEMICONDUCTOR（韩国半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管主要用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的效率，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、马达控制和负载开关等场景。该器件采用 TO-220 或 TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：约 45mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220 或 TO-252（DPAK）
KRC106M 功率 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。这一特性对于需要高效能和低发热的应用（如开关电源和马达驱动器）尤为重要。
此外，KRC106M 具有较高的电流承载能力，其最大连续漏极电流可达 30A，适用于中高功率应用。同时，该器件的漏源电压额定值为 60V，能够在中等电压环境下稳定工作。
其封装形式通常为 TO-220 或 TO-252（DPAK），这些封装设计具有良好的热管理能力，确保器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度，从而提升系统的可靠性。
KRC106M 还具备较强的抗静电能力和较高的热稳定性，适合在复杂电磁环境中使用。此外，其 ±20V 的栅源电压额定值使其能够兼容多种驱动电路设计，适用于多种应用场景。
总体来说，KRC106M 是一款性能稳定、适用范围广泛的功率 MOSFET，适用于需要高效能、高可靠性和高热稳定性的电子系统。
KRC106M 主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）中的高效率 DC-DC 转换器、电池充电管理系统、马达控制电路、逆变器、电源负载开关以及工业自动化控制系统。此外，它也广泛用于汽车电子、消费类电子产品和工业设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, STP30NF06L, FDP30N06L
