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B150NF55 发布时间 时间:2025/7/10 22:33:42 查看 阅读:11

B150NF55是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于各种开关和功率管理场景,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其封装形式通常为TO-220,适合于高电流和高电压的应用场合。
  B150NF55的耐压值高达550V,适用于高压电源转换、电机驱动、逆变器以及各类工业控制设备。由于其优异的性能参数和稳定性,它在电力电子领域有着广泛的用途。

参数

最大漏源电压:550V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:15A
  导通电阻:0.8Ω
  功耗:360W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

B150NF55具备以下关键特性:
  1. 高击穿电压:能够承受高达550V的漏源电压,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻:其导通电阻仅为0.8Ω,在大电流应用中可显著降低功耗。
  3. 快速开关能力:具有较低的输入电容和栅极电荷,支持高频开关操作。
  4. 稳定性好:即使在高温或极端条件下,也能保持良好的电气性能。
  5. 抗雪崩能力强:可以有效应对瞬态过电压情况,提高系统的可靠性。
  6. TO-220封装:便于散热和安装,适合功率较大的应用场景。

应用

B150NF55的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC和DC/DC转换电路中的功率开关。
  2. 电机驱动:控制直流电机或步进电机的速度与方向。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中作为核心开关元件。
  4. 工业自动化:如电磁阀、继电器驱动等需要高电压、大电流的控制场合。
  5. 电池管理系统(BMS):保护锂电池组免受过充、过放和短路的影响。
  6. 其他高压功率转换设备:如UPS、焊接机等。

替代型号

BUX56P55Z, IRF540N, STP15NF55

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