时间：2025/5/8 12:14:33
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LMSZ5236BT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片，专为高频开关电源、DC-DC 转换器和无线充电应用设计。该芯片集成了 GaN 场效应晶体管 (FET) 和驱动器，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，从而提高了整体效率并减小了系统尺寸。
该器件采用小型化的 QFN 封装形式，便于在紧凑型设计中使用，并且能够显著降低电磁干扰 (EMI)。其内置保护功能包括过流保护、过温保护以及短路保护，确保了在各种工况下的稳定运行。
型号：LMSZ5236BT1G
封装类型：QFN
额定电压：600V
额定电流：4A
导通电阻：150mΩ
最大工作温度：-40℃ 至 +150℃
开关频率：高达 10MHz
输入电容：7nF
输出电容：2nF
栅极电荷：30nC
LMSZ5236BT1G 的主要特性包括：
1. 高效氮化镓技术，具备超低导通电阻，能够有效减少功耗。
2. 快速开关速度支持高频操作，有助于缩小磁性元件和滤波器的体积。
3. 内置驱动器优化了开关性能并简化了外围电路设计。
4. 强大的热管理能力，使其能够在高温环境下保持稳定性能。
5. 多种保护机制集成于单一封装内，增强了系统的可靠性和安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场。
LMSZ5236BT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 高效 DC-DC 转换器，尤其是在笔记本电脑适配器和服务器电源中。
3. 无线充电模块，提供更高的能量传输效率。
4. 消费类电子产品中的快充解决方案。
5. 工业设备中的高密度功率转换需求。
6. LED 驱动器和汽车电子系统中的电源管理部分。
LMP90080, LMG3411R030
