MDN325A20 时间：2025/9/7 7:36:19 阅读：12

MDN325A20 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件适用于高功率和高频应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。MDN325A20 主要用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种工业和消费类电子产品中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

MDN325A20 MOSFET 采用先进的沟槽式技术制造，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和优异的热稳定性，适合在高温环境下运行。
　　其栅极结构设计优化了开关速度，降低了开关损耗，并减少了寄生电容的影响，使其适用于高频开关电路。此外，该MOSFET内置了反向恢复保护二极管，能够在感性负载应用中提供额外的保护功能。
　　该器件的封装采用TO-220标准封装，散热性能良好，便于安装在散热片上以提高热管理效率。其封装还具备良好的绝缘性能，适用于多种电路拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和同步整流等。
　　此外，MDN325A20 具有较高的抗静电能力（ESD）和良好的短路耐受能力，使其在复杂电磁环境中也能稳定工作。