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S27KS0641DPBHA020 发布时间 时间:2025/4/29 10:29:14 查看 阅读:11

S27KS0641DPBHA020 是一款由三星(Samsung)生产的 NAND Flash 存储芯片,采用 24nm 工艺制造,具有高密度和低功耗的特点。该芯片主要应用于需要大容量存储的设备中,例如固态硬盘(SSD)、移动设备、网络设备以及工业级存储解决方案。
  此型号为原始设备制造商(OEM)定制版本,尾缀“020”表示特定的配置或筛选标准,可能与数据保留能力、擦写寿命或其他性能参数有关。

参数

容量:64Gb(8GB)
  接口:Toggle Mode 2.0
  电压:1.8V
  封装:BGA 169 Ball
  工艺:24nm
  数据保留时间:大于10年(根据工作条件)
  擦写周期:3000次(典型值,具体取决于使用环境)

特性

S27KS0641DPBHA020 具备以下特点:
  1. 高密度存储:单颗芯片即可提供 8GB 的存储空间,适合需要紧凑设计的应用场景。
  2. 低功耗运行:采用先进的 24nm 制程技术,有效降低能耗。
  3. 稳定性强:支持多比特纠错(ECC),确保数据的完整性与可靠性。
  4. 快速传输:兼容 Toggle Mode 2.0 接口协议,提供高达 200MT/s 的数据传输速率。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内稳定运行。
  6. 定制化选项:针对不同应用需求,可通过后缀编号提供特定筛选版本。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):作为主存储介质,提供大容量、高性能的数据存储功能。
  2. 移动设备:如智能手机、平板电脑等,满足其对内置存储的需求。
  3. 网络通信设备:用于路由器、交换机等设备中的日志记录和固件存储。
  4. 工业控制:在工业自动化系统中存储关键程序和数据。
  5. 汽车电子:适用于车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。

替代型号

K9KCG09CXM-DCK0, MT29F64G08CBADB, MX30LF6436F-TP

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S27KS0641DPBHA020参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100, HyperRAM? KS
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间40 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-VBGA
  • 供应商器件封装24-FBGA(6x8)