时间：2025/5/30 16:07:55
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STF3N80K5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能功率开关的场景中。
STF3N80K5具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于高频开关应用场合。其设计特点使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：80V
最大连续漏极电流：4.1A
最大脉冲漏极电流：69A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：0.17Ω
总功耗：70W
工作结温范围：-55℃~175℃
STF3N80K5的主要特性包括低导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率；具备快速开关速度，能够适应高频应用需求；同时具有良好的热稳定性和可靠性。
此外，该器件的高雪崩能量能力和坚固的设计使得它能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。这些特点共同确保了STF3N80K5在各类功率管理应用中的优异表现。
STF3N80K5适用于多种电力电子应用领域，例如但不限于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制器以及负载开关等。
由于其出色的电气特性和稳健性，这款MOSFET非常适合用在需要高效功率转换和可靠运行的各种环境中，比如家用电器、工业设备及汽车电子系统中。
IRFZ44N
STP36NF10L
FDP5800
