电容：22μF
　　额定电压：10V
　　容差：±10%
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　绝缘电阻：10000MΩ min
　　损耗角正切（Tanδ）：≤0.035
　　额定电流：-

TMCME1D226KTR 陶瓷电容器具有多个显著的特性，使其适用于各种电子设备。首先，该电容器采用了X5R温度系数，这意味着其电容值在工作温度范围内能够保持较高的稳定性。X5R材质能够在-55°C到+85°C的温度范围内保持±15%的容量变化，这使得TMCME1D226KTR适用于宽温度范围的应用。此外，该电容器具有较低的损耗角正切（Tanδ）值，通常低于0.035，表明其在高频应用中具有较低的能量损耗，从而提高了电路的整体效率。
　　另一个显著特性是其高绝缘电阻，通常大于10000MΩ。这确保了电容器在电路中具有良好的绝缘性能，减少了漏电流的风险，从而提高了系统的可靠性。此外，TMCME1D226KTR的封装尺寸为1210（3225公制），这使其在PCB布局中具有良好的空间利用率，同时也能承受较高的焊接热应力，从而提高了生产过程中的稳定性。
　　由于其表面贴装设计，TMCME1D226KTR可以轻松集成到自动化生产线中，减少了手工焊接的需求，提高了生产效率。这种封装形式也使得电容器在高频应用中具有更低的寄生电感，从而进一步提高了其在高频电路中的性能。

TMCME1D226KTR 陶瓷电容器广泛应用于多个领域。首先，它常用于电源管理电路中，作为去耦电容或滤波电容，以减少电源噪声和电压波动，确保电路的稳定运行。在数字电路中，该电容器可用于去耦和旁路应用，以提供稳定的电源电压，防止高频噪声干扰敏感的数字信号。
　　此外，TMCME1D226KTR 也常用于模拟电路中，如放大器、滤波器和振荡器等。在这些应用中，其低损耗和高稳定性使其成为理想的选型。例如，在射频（RF）电路中，该电容器可用于调谐和匹配电路，以优化信号传输性能。
　　该电容器还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等，用于电源管理和信号调节。在汽车电子系统中，TMCME1D226KTR 也广泛用于各种控制模块和传感器电路中，以确保在严苛的环境条件下仍能保持可靠的工作性能。

GRM32ER61C226KA12L, C3225X5R1E226M160AC, CL32B226MPQNNNE