SDT04N04是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高电流、高电压的功率应用。这款器件由东芝(Toshiba)或其他厂商生产,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和快速开关特性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):4A
最大漏-源电压(Vds):40V
最大栅-源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):约35mΩ(典型值,Vgs=10V)
功率耗散(Pd):1.2W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOT-23或类似小型封装
SDT04N04具有较低的导通电阻,使其在高电流条件下具有较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常在4.5V至20V之间,使其兼容多种驱动电路,包括由微控制器提供的逻辑电平信号。
此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适合用于紧凑型高密度电源设计。
其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高响应速度,适用于高频开关应用。
SDT04N04通常采用小型表面贴装封装,便于自动化生产,并节省PCB空间。
SDT04N04广泛应用于各类电源管理系统中,如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器和负载开关电路。
在电机驱动和继电器控制领域,该MOSFET可用于实现高效的高侧或低侧开关控制。
它也适用于电池供电设备中的电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备。
另外,该器件可用于LED照明驱动电路,提供稳定的电流控制。
由于其小型封装和高效性能,SDT04N04也常用于消费类电子产品和工业控制设备中。
Si2302DS, FDN304P, AO3400, IRF7409