时间：2025/9/11 18:42:57
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SDT04N04是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高电流、高电压的功率应用。这款器件由东芝（Toshiba）或其他厂商生产，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：4A
最大漏-源电压（Vds）：40V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约35mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：1.2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-23或类似小型封装
SDT04N04具有较低的导通电阻，使其在高电流条件下具有较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，使其兼容多种驱动电路，包括由微控制器提供的逻辑电平信号。
此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合用于紧凑型高密度电源设计。
其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关应用。
SDT04N04通常采用小型表面贴装封装，便于自动化生产，并节省PCB空间。
SDT04N04广泛应用于各类电源管理系统中，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器和负载开关电路。
在电机驱动和继电器控制领域，该MOSFET可用于实现高效的高侧或低侧开关控制。
它也适用于电池供电设备中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备。
另外，该器件可用于LED照明驱动电路，提供稳定的电流控制。
由于其小型封装和高效性能，SDT04N04也常用于消费类电子产品和工业控制设备中。
Si2302DS, FDN304P, AO3400, IRF7409
