时间：2025/8/24 11:11:57
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HUF75639S3STNL 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高性能功率管理应用设计。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等高功率应用场合。HUF75639S3STNL 采用 SOT-223 封装，便于散热和在 PCB 上的布局。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：160A
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：0.93mΩ（最大）
导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：1.2mΩ（最大）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：SOT-223
HUF75639S3STNL 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），在 4.5V VGS 下最大仅为 0.93mΩ，这使得在高电流应用中显著降低了功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，使得在相同的封装尺寸下，导通性能和开关性能都优于传统 MOSFET。
此外，HUF75639S3STNL 具有出色的热性能和电流承载能力，连续漏极电流可达 160A，在高功率密度设计中表现出色。其 SOT-223 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还适合表面贴装工艺，提高了组装效率和可靠性。
该 MOSFET 支持宽范围的栅极驱动电压，支持 2.5V 至 4.5V 的 VGS，兼容多种驱动电路，包括低压控制器和逻辑门电路。其高可靠性使其适用于严苛的工作环境，如汽车电子、工业自动化和服务器电源等应用场景。
HUF75639S3STNL 广泛应用于需要高效率、高电流和低导通损耗的电力电子系统中。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及高性能电源供应器。在服务器、通信设备和工业控制设备中，该器件可用于优化电源转换效率并减少发热。此外，它也适用于需要快速开关和高稳定性的汽车电子系统，如车载充电器和电源分配模块。
Si7463DP, IRF1324S-7PPBF, SQD1208KEL, FDS6680, IPB013N04NG4
