时间：2025/5/29 14:13:06
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SMK325B7473MN-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型 MOSFET 系列。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效率电源转换应用。
该芯片主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：80A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：110nC
开关速度：超快
封装形式：TO-247
SMK325B7473MN-T 的核心优势在于其低导通电阻和高效的开关性能。该器件在高电流条件下表现出极低的功率损耗，并且具备出色的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。
此外，该芯片内置了过流保护和过温保护功能，从而提高了系统的可靠性和安全性。
其快速的开关速度有助于减少开关损耗，特别适合高频开关应用场合。同时，较大的漏极电流承载能力使得该芯片在高功率密度的应用中表现优异。
SMK325B7473MN-T 广泛应用于工业和消费电子领域中的多种场景，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- 逆变器和 UPS 系统
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 电动车牵引逆变器
- 高效负载开关
由于其高效能和高可靠性，该芯片非常适合需要高电流和高效率的电力电子应用。
SMK325B7460MN-T
IRF7473
FDP8870
