2N7002K-RTK/P 时间：2025/9/12 13:19:29 阅读：4

2N7002K-RTK/P 是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电路和信号处理电路中。该器件采用SOT-23封装，适合于低电压、低功率应用。该MOSFET具有高开关速度、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于多种电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

2N7002K-RTK/P 具有优异的开关特性，能够在高频条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）保证了在导通状态下的低功耗表现，同时提高了系统的整体效率。
　　此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐压能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且便于在PCB板上安装和布线，非常适合便携式电子设备和小型电子模块的应用需求。
　　2N7002K-RTK/P 还具有良好的抗静电能力，能够有效防止因静电放电（ESD）导致的器件损坏，从而提高产品的使用寿命和可靠性。

应用

2N7002K-RTK/P 主要用于低电压开关电路、信号放大电路、逻辑电平转换电路以及LED驱动电路等应用场景。其高开关速度使其适用于数字电路和脉宽调制（PWM）控制电路。此外，该MOSFET常用于电源管理、电池供电设备、传感器接口电路以及各种消费类电子产品中。由于其封装小巧、性能稳定，也广泛应用于通信设备、工业自动化和汽车电子系统中。