A80960KB-16是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,能够有效提升系统效率并降低功耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,封装形式为SOT-23,适用于中小功率应用场景。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多电路设计中的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻:0.15Ω
总功耗:410mW
工作温度范围:-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,可支持高频应用,适合现代电力电子设备的需求。
3. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB空间,便于布局和散热设计。
4. 具备良好的静电防护(ESD)能力,增强了产品的可靠性。
5. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电池管理系统的保护电路。
4. 电机驱动和负载开关。
5. 各类消费类电子产品中的功率控制模块。
A80961KB-16
A80962KB-16