器件型号：HDSP2113S
　　封装类型：SOIC-8
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：20 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：70 V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7 V
　　输出饱和电压（VCE(sat)）：0.4 V（典型值）
　　共模瞬态抑制（CMTI）：15 kV/μs（最小值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS（1分钟，UL 1577）
　　最大数据速率：10 MBd
　　传播延迟时间：tPLH = 0.8 μs，tPHL = 0.9 μs（典型值）
　　上升时间（tr）：0.6 μs
　　下降时间（tf）：0.7 μs

HDSP2113S的核心优势在于其出色的高速性能与高抗噪能力。该光耦内部采用高效率的砷化镓（GaAs）红外发光二极管与硅基集成光电晶体管探测器结构，确保了在低输入驱动电流下仍能保持稳定的输出响应。其传播延迟时间极短，典型值在0.8至0.9微秒之间，上升和下降时间也控制在亚微秒级别，使其能够支持高达10 MBd的数据传输速率，满足大多数中高速数字隔离需求。这一特性使其在PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器、开关电源反馈回路以及现场总线通信接口中表现出色。
　　另一个关键特性是其卓越的共模瞬态抑制能力（CMTI），最小可达15 kV/μs。这意味着即使在存在强烈电磁干扰或地电位剧烈波动的工业环境中，HDSP2113S也能有效防止误触发或信号失真，保障系统的稳定运行。这对于变频器、电机控制和逆变器等高噪声应用场景尤为重要。此外，器件的输出端采用了开集电极配置，允许用户灵活选择上拉电阻和供电电压，从而适配不同逻辑电平系统（如3.3V或5V），增强了系统的兼容性与设计自由度。
　　从可靠性角度看，HDSP2113S经过严格的老化测试和质量控制流程，具备优异的长期稳定性。其LED老化特性经过优化，确保在整个生命周期内保持足够的电流传输比（CTR），避免因CTR衰减导致的功能失效。同时，5000 VRMS的高隔离电压提供了强大的安全屏障，有效防止高压窜入低压侧造成损坏或人身伤害。器件还符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适合现代绿色电子产品制造。

HDSP2113S主要应用于需要电气隔离的数字信号传输场景。在工业自动化领域，它常用于PLC输入/输出模块、远程I/O系统以及传感器信号调理电路中，将现场设备与中央控制器隔离开来，防止接地环路和电压尖峰影响系统稳定性。在电源管理系统中，该器件被广泛用于开关电源（SMPS）的反馈控制回路，实现初级侧与次级侧之间的信号隔离，提高电源的安全性和调节精度。此外，在电机驱动和逆变器系统中，HDSP2113S可用于隔离PWM控制信号，确保功率级与控制级之间的可靠通信。
　　通信设备也是其重要应用方向之一。例如，在RS-485、CAN总线或工业以太网接口中，HDSP2113S可用于隔离收发器控制信号，提升系统的抗干扰能力和网络稳定性。在医疗电子设备中，由于对电气安全要求极高，该光耦可用于病人连接设备的信号隔离，满足IEC 60601等医疗安全标准。此外，在测试与测量仪器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及智能电表中，HDSP2113S同样发挥着关键作用，确保信号完整性的同时提供必要的绝缘保护。

HCPL-2601
　　HCPL-2611
　　6N137
　　TLP2362
　　ACPL-M61L