时间：2025/6/11 11:43:47
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GA0402Y392JXJAC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频率和高效率的电源转换场景。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具有极低的导通电阻和快速开关性能，能够显著提高系统的整体效率并减少热量损耗。
该型号属于 Gallium Nitride Systems (GaN Systems) 的产品系列，特别适合于需要高性能、小尺寸解决方案的应用场合。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻：39mΩ
栅极电荷：8nC
反向恢复时间：5ns
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
1. 超低导通电阻，有助于降低功耗和提升效率。
2. 快速开关速度，可支持高频应用，从而减小磁性元件体积。
3. 高击穿电压，确保在高压环境下可靠运行。
4. 具备出色的热性能，能够在高温条件下保持稳定。
5. 小型封装设计，便于集成到紧凑型系统中。
6. 提供增强的安全操作区域（SOA），增强了器件的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器
3. 电动车辆（EV/HEV）车载充电器
4. 数据中心电源模块
5. 工业电机驱动
6. 可再生能源转换系统（如太阳能逆变器）
GS66508T
GAN041-650WSA
