时间：2025/9/14 14:03:02
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BST51,135 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，主要用于中高功率的开关应用。该器件采用高频、高效率的设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和LED照明等应用场景。BST51,135 封装为TO-220，便于散热，适合高电流应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），以减少功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：连续1.7A（25°C）
功耗（Ptot）：60W
导通电阻（Rds(on)）：约4.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
BST51,135 的核心优势在于其高效的功率处理能力和良好的热稳定性。该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流条件下的导通损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，其高达500V的漏源电压额定值使其适用于高压应用，例如开关电源（SMPS）和电机驱动电路。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，而且便于安装在散热片上，以应对高功耗应用的需求。
此外，BST51,135 在栅极驱动方面具有较高的兼容性，可与常见的控制IC或微控制器直接配合使用，无需额外的驱动电路，简化了设计流程并降低了成本。这种特性使其非常适合用于工业自动化、消费类电子产品以及汽车电子系统中。
BST51,135 常用于各种中高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制模块、LED照明驱动电路以及家用电器中的功率控制部分。在工业自动化领域，该器件可作为继电器替代元件，实现高效的固态开关功能。在汽车电子系统中，它可用于车载电源管理和照明控制模块，满足高可靠性和长寿命的需求。
IRF840, FQA16N50C, STP16NF06, 2SK2647
