时间：2025/7/30 15:06:02
阅读：3
A3280ELHLT-T 是一款由东芝（Toshiba）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件主要用于高频放大和开关应用，适用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和电源管理电路。该晶体管采用先进的硅工艺制造，具有良好的高频响应、稳定性和可靠性。A3280ELHLT-T 采用小型表面贴装封装（SOT-89），便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热稳定性和功耗控制。
类型：NPN型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
最大功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-89
电流增益（hFE）：110~800（具体值依赖于工作电流）
过渡频率（fT）：100MHz
集电极-基极电容（Ccb）：5pF（典型值）
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.2V（最大值，Ic=100mA, Ib=5mA）
A3280ELHLT-T 是一款高性能NPN晶体管，具备出色的高频响应能力，过渡频率（fT）高达100MHz，适合用于射频放大器和高速开关电路。其电流增益范围为110至800，具有良好的放大能力和线性度，适用于各类模拟信号放大和数字开关控制应用。
该晶体管采用SOT-89封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，并具备良好的散热性能，确保在连续工作状态下的稳定性和可靠性。其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，能够满足中等功率应用的需求。
在功耗方面，A3280ELHLT-T 的最大功耗为300mW，且集电极-发射极饱和电压较低，典型值为0.2V，在开关应用中可以有效降低能量损耗，提高整体能效。此外，其工作温度范围宽广（-55°C ~ +150°C），适用于各种严苛的工业和消费类电子应用环境。
这款晶体管还具备良好的抗静电能力（ESD）和稳定性，在高频操作条件下表现出色，适用于无线通信模块、传感器接口电路、音频放大电路以及逻辑电平转换等应用场景。
A3280ELHLT-T 适用于多种电子系统和模块，包括但不限于：高频放大器、射频前端电路、数字开关电路、逻辑电平转换器、传感器信号放大、音频前置放大器、电源管理电路、工业控制设备、通信模块（如蓝牙、Wi-Fi、Zigbee）、嵌入式系统接口电路等。该晶体管凭借其高频特性、低饱和压降和紧凑的SOT-89封装，广泛用于现代电子设备中。
2N3904, BC547, 2SA1015, MMBT3904
