时间：2025/6/25 21:04:09
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ED163NC5M 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等领域。该器件采用 N 沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而提升了效率并降低了热损耗。
其封装形式为 TO-220，便于散热设计，同时具备良好的电气性能和可靠性，适用于多种工业和消费类电子应用。
型号：ED163NC5M
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：40A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ (在 VGS=10V 时)
功耗(PD)：160W
结温范围(TJ)：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-220
ED163NC5M 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 良好的热稳定性和耐热冲击能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 封装形式为 TO-220，易于集成到各种电路设计中。
ED163NC5M 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器和逆变器的核心元件。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP55N06L
