IR4426是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件适用于多种开关和功率转换应用场合,其低导通电阻特性有助于减少传导损耗,提高效率。IR4426的额定电压为60V,广泛应用于电机驱动、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理等领域。
IR4426的设计重点在于提供高效的功率处理能力,同时保持较低的热阻以确保在高电流应用中的稳定性。此外,该元件还具备快速开关速度和良好的抗雪崩能力,使其在各种动态工作条件下表现出色。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:31A
导通电阻(Rds(on)):4.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:17nC(典型值)
输入电容:1540pF(典型值)
总耗散功率:118W(在Tc=25°C时)
工作结温范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
1. 低导通电阻设计可显著降低功耗。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
3. 快速开关性能,支持高频操作。
4. 优秀的热特性和耐用性,适应恶劣的工作环境。
5. 符合RoHS标准,环保无铅。
6. 具备较强的抗雪崩能力,增强可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 汽车电子系统中的电源管理和电池保护。
6. 多种电池供电设备中的高效功率管理解决方案。
IRLZ44N, FDP5500, SI4895DY