类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：650V
　　最大连续漏极电流（ID）：2A
　　导通电阻（RDS(ON)）：3.5Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V至5V
　　最大耗散功率（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

CR2N65A3K 功率MOSFET具备多项优异特性，确保其在各种高压应用中的可靠性和性能。首先，其650V的高击穿电压允许该器件在高压环境中安全运行，适用于开关电源、照明设备和电机控制等场景。其次，该MOSFET的导通电阻较低（最大3.5Ω），有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，提高整体稳定性。
　　此外，CR2N65A3K 采用了先进的制造工艺，确保了良好的开关特性和热稳定性，适用于高频开关应用。其TO-220封装不仅提供良好的散热性能，还能适应多种PCB布局设计，提高了设计灵活性。该器件还内置了防静电保护功能，增强了抗干扰能力和长期可靠性。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2.5V至5V，使其兼容多种控制电路，包括基于MCU和PWM控制器的系统。这种灵活性使得CR2N65A3K 可广泛应用于不同类型的功率电子设备中。

CR2N65A3K MOSFET主要用于高压和高效率的电源转换系统。例如，它被广泛应用于开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制电路、家用电器（如微波炉、洗衣机）的功率控制模块，以及工业自动化设备中的高压开关系统。此外，该器件也可用于逆变器、充电器、适配器等电力电子设备中，以提供高效、稳定的功率控制。
　　在照明领域，CR2N65A3K 可用于LED路灯驱动器、荧光灯镇流器等场合，其高击穿电压和低导通电阻特性可有效提高灯具的效率和寿命。在电机控制应用中，该MOSFET可用于变频器或无刷直流电机的功率开关部分，提供精确的电流控制和可靠的高电压隔离。此外，由于其封装尺寸较小，该器件也适合用于空间受限的便携式设备电源系统。

STP2N65K3, IR2N65, FQP2N65, 2N65A3