类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：5.3A
　　导通电阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

RJ23U3CD0BT 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够有效降低功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的高开关速度使其非常适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和负载开关。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到散热器或PCB上，从而提高长期运行的可靠性。
　　在栅极驱动方面，RJ23U3CD0BT 具有较高的栅极阈值电压（VGS(th)），通常在2.0V至4.0V之间，这有助于防止在噪声较大的环境中发生误触发。此外，该器件的雪崩能量等级较高，能够在短时间承受较高的反向电压冲击，从而提高系统的鲁棒性。该器件的封装设计允许表面贴装，适用于自动化生产流程，同时减少了PCB上的空间占用，适合高密度电路设计。

RJ23U3CD0BT 主要应用于需要高效功率管理的系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的电源模块。由于其良好的热稳定性和较高的电流承载能力，该器件也非常适合用于需要频繁开关操作的高功率负载控制场合。此外，在汽车电子领域，RJ23U3CD0BT 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等应用。

RJA1004DND1、RJE30F4LDSP、Si4460BDY、FDMS86180、IRLML6402