类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：3.3A（在 25°C 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：3

A312HV 具备多项优异的电气和物理特性，确保其在高压应用中的稳定性和可靠性。首先，其最大漏源电压（Vds）可达 600V，能够适应大多数高电压应用需求，如电源适配器、工业电源和电机控制系统。其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）为 1.5Ω，较低的导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，A312HV 采用了高耐压的栅极氧化层技术，最大栅源电压（Vgs）可达 ±20V，增强了栅极的稳定性和抗干扰能力。其最大连续漏极电流为 3.3A，在 25°C 下可提供足够的电流能力，满足多种中高功率场合的需求。功率耗散方面，该器件支持最大 40W 的功耗，具备良好的散热性能，适合长时间高负荷运行。
　　封装方面，A312HV 采用标准的 TO-220 封装，具备良好的机械强度和热传导性能，便于安装和散热设计。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。

A312HV 广泛应用于多种高压和高功率电子系统中。常见用途包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，用于提高电源转换效率并减少热量产生。在电机驱动电路中，该 MOSFET 可作为开关元件，控制电机的启停和速度调节，适用于家用电器、工业自动化设备和电动工具等。
　　此外，A312HV 也适用于负载开关和电源管理系统，如智能电表、UPS（不间断电源）和电池管理系统。其高耐压特性和良好的导通性能使其在电源适配器、LED 照明驱动电路和工业控制设备中也得到广泛应用。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等高压应用场合。

FQP6N60C, IRFBC40, STF8NM60N, 2SK2143