2SK2519 时间：2025/8/9 15:26:14 阅读：39

2SK2519是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率放大器、电源管理和开关电路中。该器件由东芝公司生产，具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点。2SK2519适用于各种电子设备中的高频开关和功率控制应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：5A
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω（最大）
　　功率耗散：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK2519具有多个关键特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其最大漏极电流为5A，能够在较高电流下稳定工作，适用于需要较大负载能力的电路。其次，漏源电压的最大额定值为60V，使其能够在较高电压环境下可靠运行。栅源电压的最大额定值为20V，确保在常见的控制电压范围内具有良好的稳定性。
　　导通电阻（Rds(on)）的最大值为0.4Ω，这意味着在导通状态下，器件的功耗较低，从而提高了整体系统的效率。此外，2SK2519的功率耗散能力为30W，能够承受较高的功率负载，适用于高功率应用。工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在广泛的环境条件下稳定运行。
　　该器件采用TO-220封装形式，这种封装不仅便于安装和散热，还提供了良好的机械稳定性和电气性能。TO-220封装常用于需要良好散热性能的功率器件中，确保2SK2519在高负载情况下仍能保持良好的工作状态。

应用

2SK2519的应用范围非常广泛，主要集中在需要高功率开关和放大功能的电路中。它常用于电源管理系统，如DC-DC转换器和稳压器，以提高电源效率和稳定性。此外，2SK2519也广泛应用于音频功率放大器和射频（RF）放大器中，提供高保真信号放大能力。在工业控制和自动化设备中，该器件用于电机驱动、继电器控制和其他高电流负载的开关应用。