KSR1103S 时间：2025/9/11 15:17:12 阅读：14

KSR1103S是一种低电压、低功耗、N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高密度电源管理和电池供电系统。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供卓越的导通电阻（Rds(on)）性能和快速开关特性，使其在低电压应用中具有出色的效率。该器件通常采用SOT-23或SOT-323等小型封装，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A（@Vgs=4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：33mΩ（@Vgs=4.5V）
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23、SOT-323

特性

KSR1103S MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，提高了电流处理能力，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低栅极电荷（Qg）设计使得开关速度更快，进一步降低了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件具有低阈值电压（Vgs(th)），通常在0.6V至1.5V之间，使其适用于低电压控制电路，如由微控制器直接驱动的应用。
　　该MOSFET的封装形式（如SOT-23）具有较小的占板面积，适合高密度PCB布局。其低功耗特性和高效的热管理能力使其适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备。此外，KSR1103S具有良好的稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　在安全性和保护方面，该器件具有良好的抗静电能力和过温保护特性，能够在一定程度上防止因过热或静电放电导致的损坏。此外，其低漏电流特性确保在关闭状态下功耗极低，进一步延长了电池寿命。

应用

KSR1103S广泛应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等。它可用于构建高效的DC-DC降压转换器、同步整流器和负载开关电路。此外，该MOSFET也适用于低电压电机控制、LED驱动电路、电池管理系统以及各种低功耗开关应用。在工业控制和自动化系统中，它可用于构建小型电源模块和传感器驱动电路。