IRF7313TR是IR公司(现为Infineon Technologies)生产的一款双通道N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TSSOP-8封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于需要高效能、低功耗的应用场合。
IRF7313TR将两个MOSFET集成在一个封装中,可以有效节省PCB空间并简化电路设计。这种双MOSFET结构通常用于同步整流电路、DC-DC转换器、负载切换以及电机驱动等应用领域。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流(每个MOSFET):4A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:9nC(典型值)
总热阻(结到环境):60°C/W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TSSOP-8
IRF7313TR具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻使得其在高电流应用中能够减少功耗,提高效率。
2. 高速开关能力允许其在高频电源转换电路中使用。
3. 小型化的TSSOP-8封装有助于节省印刷电路板的空间,并且具备良好的散热性能。
4. 双MOSFET集成设计降低了系统复杂性,减少了元器件数量。
5. 能够承受较高的漏源电压,适合多种不同电压等级的应用场景。
6. 宽泛的工作温度范围保证了器件在极端条件下的可靠运行。
IRF7313TR广泛应用于各种电力电子设备之中,具体包括:
1. 同步整流电路中的主开关和续流二极管替代方案。
2. DC-DC转换器,如降压、升压或反激式拓扑结构。
3. 电池管理系统中的负载切换和保护功能。
4. 消费类电子产品,例如笔记本电脑适配器、手机充电器等内部电路。
5. 工业自动化控制领域中的小型电机驱动和电磁阀控制。
6. 通信电源系统中的功率级转换模块。
IRL7313TRPBF, IRF7309TR