时间：2025/9/29 17:41:38
阅读：10
TM25DZ-M是一款由天微电子推出的高性能、低功耗的CMOS工艺制造的存储器芯片，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及嵌入式系统中。该芯片属于串行闪存（Serial Flash）类别，采用标准SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，具备高可靠性与稳定性，适用于需要非易失性数据存储的场合。TM25DZ-M以其小封装、高集成度和良好的温度适应性，在主板BIOS存储、网络设备固件保存、物联网终端配置信息记录等场景中表现出色。该器件支持多种读写操作模式，包括快速读取、页编程和扇区擦除等功能，并内置写保护机制以防止误操作导致的数据损坏。此外，TM25DZ-M在设计上兼容主流微控制器，便于系统集成，同时支持宽电压工作范围，增强了其在不同应用环境下的适用能力。
型号：TM25DZ-M
存储容量：256 Mbit (32MB)
组织结构：32,768个块 × 64KB / 262,144个扇区 × 4KB
接口类型：SPI（支持单路、双路、四路I/O）
工作电压：2.7V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：SOP8、WSOP8、USON8（具体以厂商规格书为准）
时钟频率：最高支持104MHz（四线模式下）
编程/擦除耐久性：100,000次循环
数据保持时间：10年（典型值）
写保护功能：支持软件及硬件写保护（WEL、WP#引脚）
休眠电流：<5μA（典型值）
工作电流：<8mA（读取状态，典型值）
TM25DZ-M具备多项先进的技术特性，确保其在复杂应用环境中稳定运行。首先，该芯片采用高效的SPI四线IO模式（Quad I/O），可显著提升数据传输速率，满足高速启动和实时数据存取的需求。其内部存储阵列按扇区和块进行划分，支持灵活的擦除操作，最小可实现4KB扇区擦除，有利于精细化管理固件或配置数据，减少不必要的整片擦除开销。
其次，TM25DZ-M集成了全面的保护机制，包括软件写使能/禁止指令、状态寄存器锁定、以及通过WP#引脚实现的硬件写保护，有效防止在电源不稳定或系统异常时发生意外写入或擦除操作，从而保障关键数据的安全性。此外，该芯片支持多种低功耗模式，如深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗极低，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。
再者，TM25DZ-M具有优异的抗干扰能力和宽温工作性能，可在-40°C至+85°C范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子外围设备。其采用的高可靠性浮栅技术保证了10万次以上的编程/擦除寿命，并能在断电情况下保持数据长达10年以上，满足长期存储需求。最后，该器件遵循RoHS环保标准，提供多种小型化封装选项，便于在空间受限的PCB布局中使用，提升了产品设计的灵活性与集成度。
TM25DZ-M广泛应用于各类需要外部非易失性存储的电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于智能电视、机顶盒、路由器和Wi-Fi模块中的固件存储；在工业控制方面，被集成于PLC控制器、HMI人机界面、传感器模块中用于保存校准参数和运行日志；在物联网设备中，作为MCU外挂Flash用于存储操作系统镜像、证书文件或用户配置信息；此外，在车载电子如行车记录仪、车载导航系统中也发挥着重要作用，确保系统快速启动并可靠地保存关键数据。由于其支持快速读取和高耐久性擦写，该芯片还适用于需要频繁更新数据的嵌入式应用场景。
W25Q256JV,W25Q256FV,EN25Q256A,F25L256
