型号：74LVT86DB
　　逻辑功能：四2输入异或门（XOR）
　　电源电压（VCC）：2.7V 至 3.6V
　　兼容输入电压：支持5V输入（5V Tolerant Inputs）
　　输出类型：推挽输出（Totem Pole）
　　传播延迟时间（tpd）：典型值约3.5ns（@ VCC = 3.3V）
　　最大工作频率：可达100MHz以上
　　直流输出电流（IOH/IOL）：±24mA（输出高/低）
　　静态电流（ICC）：最大10μA（待机状态）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SO14（Small Outline 14-pin）
　　引脚间距：1.27mm
　　符合标准：JEDEC JESD8-5（3.3V应用）
　　ESD保护：HBM > 2000V
　　安装方式：表面贴装（SMD）

74LVT86DB具备多项优异的电气和物理特性，使其在现代高速数字系统中表现出色。首先，该器件采用低电压TTL（LVT）技术，能够在3.3V电源下提供与传统5V TTL逻辑兼容的输入接口，这意味着它可以安全地接收来自5V系统的信号，而不会造成器件损坏或性能下降。这一特性极大地增强了其在混合电压系统中的互操作性，尤其适用于将旧有5V系统升级到3.3V核心逻辑时的接口桥接。
　　其次，74LVT86DB具有极快的传播延迟，典型值仅为3.5ns左右，这使得它能够支持高达100MHz甚至更高的工作频率，非常适合用于高速数据路径、时钟同步电路和实时信号处理应用。其推挽输出结构提供了强大的驱动能力，每个输出可提供高达±24mA的电流，足以直接驱动多个TTL负载或较长的传输线，减少了对外部缓冲器的需求，从而简化了系统设计并降低了整体成本。
　　此外，该器件在静态条件下功耗极低，静态电源电流最大仅为10μA，显著优于传统的TTL器件。这种低功耗特性不仅有助于延长电池供电设备的续航时间，还有助于降低系统整体的热负荷，提升长期运行的可靠性。CMOS工艺带来的高噪声 immunity 也使其在电磁干扰较强的工业环境中表现稳定，减少了误触发的风险。
　　74LVT86DB还具备良好的热稳定性和机械可靠性，SO14封装采用标准塑封材料，具有优异的耐湿性和抗老化性能，适合自动化贴片生产。其ESD保护能力超过2000V（人体模型），提高了器件在装配和使用过程中的安全性。总体而言，这些特性使74LVT86DB成为高性能、高可靠性数字系统中的关键组件。

74LVT86DB广泛应用于多种需要高速、低功耗逻辑运算的电子系统中。在通信设备中，它常用于信号编码、解码和差分检测电路，例如在串行通信接口中用于奇偶校验生成与验证，确保数据传输的完整性。其高速响应能力使其能够适应快速变化的数据流，适用于RS-485、CAN总线等工业通信协议中的信号调理环节。
　　在计算机和服务器系统中，74LVT86DB可用于地址总线或数据总线的比较电路，检测地址匹配状态或实现简单的状态机逻辑。由于其支持5V输入并在3.3V下工作，因此特别适合用于老式外设与现代主板之间的电平转换和接口适配，例如在PCI插槽或ISA总线扩展卡中作为电平缓冲器使用。
　　工业控制领域中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的逻辑判断模块，执行诸如状态监测、故障检测和信号同步等功能。其高驱动能力和抗干扰特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。此外，在测试测量仪器中，74LVT86DB可用于构建自检电路或触发信号生成器，利用异或门对两个时钟或数据信号进行比较，检测相位差异或数据错误。
　　消费类电子产品中，如打印机、扫描仪和多媒体设备，该器件可用于时序控制、脉冲整形和数据同步等任务。其小型SO14封装节省了PCB空间，适合紧凑型设计。在嵌入式系统开发板和FPGA外围电路中，74LVT86DB也常作为 glue logic 使用，连接不同电压域的模块，实现灵活的系统集成。

SN74LVT86DBR
　　74LVT86DB,118
　　MC74LVT86DB