时间：2025/4/29 12:11:59
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STF10N105K5是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他功率管理电路中。其额定电压为100V，持续漏极电流为10A，具备低导通电阻和快速开关特性，适合高效能功率转换应用。
STF10N105K5设计用于在高频率下提供低损耗的性能表现，同时具有良好的热稳定性和可靠性，是许多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.13Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：18nC（典型值）
输入电容(Ciss)：1200pF（典型值）
总功耗(Ptot)：140W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
存储温度范围(Tstg)：-55℃至+175℃
1. 额定电压高达100V，适用于多种高压应用场景。
2. 持续漏极电流为10A，能够支持较高功率的应用需求。
3. 具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
4. 快速开关能力，降低开关损耗，适合高频开关应用。
5. 优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
6. TO-220封装形式，便于散热和安装。
7. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的需求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流/直流转换器中的同步整流。
3. 电机驱动控制中的功率级开关。
4. 负载切换和保护电路。
5. LED驱动器中的功率开关元件。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 电池管理系统中的充放电控制开关。
IRFZ44N, FQP17N10, STF10N10L
