时间：2025/6/27 15:24:34
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MCR8DCNT4G 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，属于 Infineon（英飞凌）公司的 CoolMOS 系列。该器件采用先进的制造工艺设计，能够提供低导通电阻和快速开关性能，适用于高效率、高频率的功率转换应用。其封装形式为 DPAK（TO-263），具备良好的散热性能。
该型号主要面向工业电源、消费电子以及汽车电子等领域，可广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：750mΩ
栅极电荷：19nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DPAK (TO-263)
MCR8DCNT4G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，降低开关损耗。
3. 内置反并联二极管，具有优异的反向恢复特性，适合硬开关和软开关拓扑。
4. 高耐压能力（800V），确保在高压环境下的稳定运行。
5. 小巧的 DPAK 封装，便于 PCB 布局并提供良好散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
MCR8DCNT4G 适合用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：尤其是需要高效功率管理的小型电机控制。
3. 逆变器：如太阳能逆变器和其他电力电子设备。
4. LED 驱动器：为大功率 LED 提供稳定的电流输出。
5. 工业自动化：用作功率开关或负载控制器。
6. 汽车电子：例如启动马达、电池管理系统等对可靠性要求较高的场合。
MCR8DTN4G, MCR8DN4G, MCR8DCTN4G
