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MMUN2211LT3G 发布时间 时间：2023/3/29 11:03:28 查看 阅读：652

产品种类: 数字晶体管

目录

概述

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 数字晶体管

配置: Single

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 10 KOhm

典型电阻器比率: 1

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流电流增益 hFE 最小值: 35 @ 5mA @ 10V

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 0.1 A

峰值直流集电极电流: 100 mA

功率耗散: 246 mW

最大工作温度: + 150℃

封装: Reel

最小工作温度: - 55℃

安装风格: SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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IC词条百科

MMUN2211LT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大246mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMUN2211LT3G-NDMMUN2211LT3GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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